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X-FAB在180nm BCD-on-SOI平臺上新增非易失性存儲器功能

時間:2019-10-18, 來源:互聯網, 資訊類別:行業知識

2019年10月17日, 比利時Tessenderlo

全球領先的模擬/混合信號和專業代工廠商X-FAB Silicon Foundries, 今天宣布在廣泛使用的XT018 BCD-on-SOI平臺上提供基于SONOS的Flash和嵌入式EEPROM。這些非易失性存儲器(NVM)的添加將拓寬更多的應用范圍,在這些應用中,需要高壓額定值和高溫承受能力,并且提升運算能力。

越來越多的應用需要基于微控制器(microcontroller-base)的解決方案,其中包括嵌入式Flash和EEPROM與高壓(高達100V),高溫和抗ESD / EMC能力相結合。EEPROM非常適合需要多次重復編程內存塊(在晶圓級,以及在現場應用中)的情況。X-FAB的SONOS技術支持在-40°C到175°C的溫度下工作,符合汽車AEC-Q100 “0”級質量標準。

新的X-FAB NVM方案包括一個32kBytes的Flash,以及4kbit的EEPROM。這兩種元件均采用了公司的SONOS技術,并充分利用了180nm體硅工藝(XH018)所展示的可靠性和經驗。Flash和EEPROM子塊可以在1.8V單電壓下工作,并且可以通過共享的同一外設接口獨立操作,從而實現最佳的封裝。

為確保數據完整性,該NVM方案包含了錯誤代碼校正(ECC)功能,分別在Flash上進行單位校正和在EEPROM上進行雙位校正。NVM模塊還帶有嵌入式測試接口,允許直接操作Flash和EEPROM IP。通過這種方式,客戶可以受益于X-FAB的NVM晶圓級測試和封裝設備測試功能,以縮短調試和上市時間。

這新增NVM方案僅在XT018基本流程中增加了四個額外的工藝層,特別適合于一系列不同的應用領域,例如汽車,工業,物聯網和醫療。此外,這種BCD-on-SOI提供的超低漏電性能將在物聯網的遠程自主傳感器接口和活體健康監測應用等新興應用中證明其價值。

X-FAB NVM市場經理Nando Basile表示:“將Flash功能引入我們的XT018平臺,為我們在高溫下需要智能控制的汽車動力傳動系統應用領域提供了明顯的優勢。” “這也意味著,我們完全有能力應對醫療和工業領域開始出現的眾多機遇。”

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